连科半导体在液相法碳化硅长晶炉领域迈出了重要的一步，近期顺利完成了客户现场的验收工作。这不仅证明了他们在碳化硅单晶生长技术上的持续创新，也标志着他们在该领域的技术积累达到了新的高度。凭借在直拉单晶和碳化硅单晶生长方面的深厚经验，连科半导体成功推出了能够灵活适应6至8英寸单晶生长需求的液相法长晶炉。这些长晶炉不仅支持多种加热方式，还能显著提升生产效率和优化晶体质量。

液相法技术的优势正逐渐被业界所认可，特别是在P型碳化硅衬底的生长方面，该技术展现出了独特的优势。它能够生长出低位错密度、高品质的碳化硅晶片，并大幅提高生产成品率，降低生产成本。如今，液相法长晶技术已成为碳化硅产业发展的一个重要方向。为了推动该技术的进一步发展和应用，设备制造商和衬底生产商需要紧密合作，共同迎接碳化硅产业的繁荣。

近日，山西中电科新能源技术有限公司在超高纯石墨粉的提纯技术上取得了重大进展，成功攻克了石墨粉提纯过程中的核心难题，使得产品的纯度达到了国内领先水平。该公司运用自主研发的纯化设备，对原始灰分为700ppm的石墨粉进行了精细提纯，最终获得了高达5N（99995%）的纯度，且所有金属元素的含量均低于检测下限。这一技术突破不仅标志着山西中电科在石墨粉纯化领域迈出了坚实的一步，也为公司在新能源和高端材料领域的发展打下了坚实基础。展望未来，该公司将继续加大在核心技术研发上的投入，以进一步提升自身的技术实力和市场竞争力。这一重要进展不仅展现了公司在技术创新方面的持续努力，同时也为行业提供了更高纯度石墨粉的生产方案，进一步推动了超高纯材料的产业化发展。

江苏通用半导体有限公司近日成功交付了其自主研发的8英寸碳化硅晶锭激光剥离设备，并已顺利投入生产。这一重要里程碑的达成，标志着国内在SiC晶锭剥离技术方面取得了新的重大突破。

相较于传统的线切割工艺，通用半导体的激光剥离技术不仅显著减少了产品损耗，还大幅降低了生产成本。该设备的价格仅为国外同类产品的三分之一，成为国内首套实现这一技术的创新设备。自2023年开始研发以来，江苏通用半导体已成功推出了国内首条8英寸全自动SiC晶锭激光剥离生产线。

凭借这项颠覆性技术，江苏通用能够精确地将厚度仅为130微米的超薄碳化硅晶圆片从晶锭中剥离，不仅降低了生产成本，还显著提高了生产效率。随着自动化技术的持续升级，设备的速度和良品率也得到了大幅提升，现已全面实现6英寸和8英寸晶锭的全自动分片。

目前，随着设备的逐步推向市场，江苏通用的订单已预约至明年。预计全部生产线投入运营后，年产碳化硅衬底将达到2万片。公司计划进一步加快设备的产业化进程，以拓展市场份额并推动碳化硅产业链的技术革新与成本降低。
Wolfspeed，一家领先的碳化硅（SiC）芯片制造商，近日宣布其总裁兼首席执行官Gregg Lowe已辞职。此次变动发生在公司面临电动汽车需求下滑及工业和能源终端市场订单缩减的复杂情境下，体现了公司在应对市场压力时所做出的战略调整。
在公告中，Wolfspeed强调，此次CEO的更替旨在推动公司的长期价值增长，特别是在全球半导体行业蓬勃发展的背景下，碳化硅材料的需求持续旺盛。然而，Wolfspeed亦面临诸多严峻挑战。公司董事会已决定立即罢免Gregg Lowe的首席执行官职务，并着手寻找新的领导者，以引领公司把握市场机遇。

此外，Wolfspeed还公布了一系列重组与裁员计划。公司计划关闭一家150mm工厂，并预计将产生74亿美元的重组费用。裁员计划将涉及约1000名员工，旨在通过降低成本来应对当前的市场困境。同时，Wolfspeed已决定搁置在德国恩斯多夫建设工厂的计划，以适应欧洲电动汽车市场需求疲软的情况。

尽管可能获得24亿美元的资金支持，但依据《芯片法案》，Wolfspeed在向纯200mm碳化硅晶圆和设备制造转型的过程中仍面临重重困难。未来，Wolfspeed如何克服这些挑战，将成为业界关注的焦点。
格棋化合物半导体，一家新兴的碳化硅（SiC）制造商，近日在台湾桃园中坜区隆重举行了新工厂的落成典礼。

该工厂总投资高达6亿新台币（折合人民币约33亿元），并预计在2024年第四季度全面投入生产。新厂建成后，月产能将达到5000片6英寸碳化硅衬底，且计划在2024年底前增设20台8英寸长晶炉和100台6英寸长晶炉，从而大幅提高整体产能。这一产能的显著提升，预示着格棋在SiC市场的布局将进一步得到强化。

在落成仪式上，格棋还与台湾中科院及日本三菱签署了合作协议。根据协议，三方将共同致力于高频通讯碳化硅组件的研发，并计划进军5G/B5G通讯基础设施所需的关键组件市场。此次合作不仅深化了台湾与日本之间的技术交流，还将进一步拓展日本市场对SiC产品的需求，特别是在消费类和汽车应用领域。

通过此次合作，三菱将向日本客户提供6英寸和8英寸的晶锭、晶圆以及外延材料，而格棋则将依托台湾地区的资源优势，为日本客户提供相应的SiC材料支持。这一系列举措预示着格棋在SiC领域的市场地位将得到进一步的巩固和提升。

根据江丰电子2024年第三季度报告，公司表现出强劲的增长势头。
营业收入达到25亿元，较去年同期增长77%；净利润为87亿元，同比增长51%。在第三季度，公司实现营业收入98亿元，净利润26亿元，同比增长率分别达到48%和213%。
报告还透露，江丰电子在第三代半导体材料的战略布局上取得了重要进展。其控股子公司晶丰芯驰已拥有多项碳化硅外延结构及制备方法的专利，并近期发布了6至8英寸的碳化硅外延片，标志着公司在碳化硅领域的技术实力。目前，该产线建设进展顺利，已初步具备生产能力，为公司的市场拓展提供了有力支撑。

另外，江丰电子旗下的江丰同芯在覆铜陶瓷基板的生产方面也取得了重要突破。自投产以来，公司仅用8个月时间便实现了大规模扩产，产线数量从2条增加至17条。DBC覆铜陶瓷基板的月产能从1万片提升至15万片，预计到2024年底，年产量将达到50万片，超越原定目标。这一系列成就展示了江丰电子在材料领域的技术实力和市场潜力。

厦门大学的科研团队在碳化硅（SiC）晶片切割技术方面取得了显著进展，他们提出了一种创新的双激光诱导微裂纹生成与扩展技术。
这一技术成功实现了对500μm厚SiC样品的非接触式、低损伤切片，同时确保了切片后的表面粗糙度控制在200nm以下。该技术的突破不仅为SiC晶片微裂纹的生长与互连提供了坚实的理论基础，更在提升SiC晶片的加工精度和应用性能方面发挥了关键作用。

在具体实施过程中，科研人员运用纳秒激光对SiC材料进行精细扫描。激光脉冲持续时间为25纳秒，波长为1064nm，重复频率高达10kHz，光斑尺寸约为10μm。首先，高能量密度的激光聚焦在SiC材料内部，引发多个微裂纹的产生，从而降低SiC的键合强度并增强对激光能量的吸收。随后，低能量密度的激光束扫描材料表面，进一步推动微裂纹的扩展与连接，实现高效、精准的晶圆切片。

这项技术的成功研发，预示着碳化硅材料的制造过程将更加高效、低成本，同时良品率也将得到显著提升。这对于碳化硅在新能源、5G通讯、电动汽车等领域的广泛应用具有重要意义。

天岳先进近期重磅推出业内首款300mm碳化硅衬底，这一行业里程碑式的进展标志着碳化硅材料正式进入超大尺寸时代。
这款300mm衬底凭借其出色的性能，不仅刷新了行业标准，更在发布会现场赢得了客户与业内人士的广泛赞誉与热烈讨论。随着新能源汽车、光伏储能以及5G通信等行业的飞速发展，碳化硅基器件的需求呈现出爆发式增长。而300mm衬底的推出，将显著提升芯片产量，同时降低生产成本，为碳化硅材料的广泛应用奠定坚实基础。

天岳先进的这一创新举措，不仅进一步丰富了其产品系列，满足了客户的多样化需求，更彰显了公司在技术创新和产品升级方面的坚定决心与持续投入。此举无疑将为碳化硅材料行业的未来发展注入新的活力，引领行业迈向更加辉煌的未来。